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活動名稱 2019功率半導體材料(氮化鎵&碳化矽)應用元件國際論壇
開始日期 2019/10/17
結束日期 2019/10/17
活動地點

集思台大會議中心-蘇格拉底廳

活動內容 全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術,由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限,具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術,將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院執行政府晶片及半導體產業科技研發專案,進行高功率模組應用之功率半導體材料及元件製造等技術開發,為台灣功率半導體產業注入一股新動能。

有鑑於我國學研各界投入相關之基礎及應用研究多年,因此本次會議特邀請國內外功率半導體產學機構專家,包括Cree, Inc / Wolfspeed、Efficient Power Conversion Corporation (EPC)、全訊科技股份有限公司、聯鈞光電股份有限公司竹科分公司、聯穎科技股份有限公司及清華大學電機系等進行專題演講,與國內產學研各界分享及交流。希冀藉由此次會議促進產學研各界交流,激盪功率半導體材料及高功率模組應用領域研究發展,加速國內功率電子及應用相關產業研發布局。

在此,誠摯邀請您撥冗參加此盛會,藉此機會與國內外相關產業先進經驗交流,期能促成上中下游研發合作結盟,紮根台灣,跨足國際!

一、 論壇時間Symposium Date: 2019年10月17日上午9:30至下午5:00 (Oct.17th. 2019,9:30am∼5:00pm)

二、 活動報名時間Registration Period: 即日起至2019年10月11日下午5:00止(額滿為止) (From now until Oct.11th .2019 5:00pm, until Full)

三、 線上報名網址Registration Website: https://forms.gle/CKGsW45uv1m7um8LA

四、論壇地點Symposium Venue: 集思台大會議中心-蘇格拉底廳 (GIS NTU Convention Center, Taipei, Taiwan) 台北市羅斯福路4段85號 (No. 85, Sec. 4, Roosevelt Rd., Da’an Dist., Taipei City 106, Taiwan(R.O.C.))

五、主辦單位Organized Institutions: 國家中山科學研究院、台灣經濟研究院、拓墣產業研究院 National Chung-Shan Institute of Science & Technology、Taiwan Institute of Economic Research、Topology Research Institute

六、會議連絡人Contact: 台灣經濟研究院 Taiwan Institute of Economic Research 胡雪琪 Yuki Hu phone: +886-2-2586-5000 ext. 808  e-mail: d33991@tier.org.tw 黃威菁 Lana Huang phone: +886-2-2586-5000 ext.875  e-mail: d33581@tier.org.tw address:10461台北市德惠街16-8號7樓 (7F., No. 16-8, Dehuei St., Jhongshan District, Taipei City 10461, Taiwan)

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